Intel şi Micron introduc tehnologia NAND pe 25 nanometri – Tehnologia cea mai avansată, la scara cea mai mică, din industria semiconductorilor
CUMPARATI |
CELE MAI IMPORTANTE ELEMENTE ALE ŞTIRII:
· Intel şi Micron sunt lideri in industria semiconductorilor prin dezvoltarea primului proces tehnologic pe 25 nm din lume.
· Noul sistem flash pe 25nm permite o creştere a capacităţii de stocare a playerelor media, smartphone-urilor şi solid-state drive-urilor eficientă din punct de vedere al costului.
· Procesul pe 25nm produce o capacitate de stocare de 8 GB într-un singur dispozitiv NAND, creând o soluţie de stocare de mare capacitate pentru gadget-urile folosite pe scară largă.
SANTA CLARA, California şi BOISE, Idaho, 2 februarie 2010 – Intel Corporation şi Micron Technology, Inc. au anunţat astăzi prima tehnologie NAND pe 25 nanometri (nm) din lume, care asigură o soluţie eficientă de a creşte capacitatea de stocare a unor gadget-uri de succes, precum smartphone-uri, playere media şi noua clasă de înaltă performanţă de solid-state drive-uri (SSD).
Memoria flash NAND stochează datele şi alte informaţii media conţinute de produsele electronice, reţinând informaţia chiar şi atunci când alimentarea cu energie este întreruptă. Evoluţia către procese NAND la scară tot mai mică permite în continuare dezvoltarea şi introducerea de noi utilizări pentru tehnologie. Procesul pe 25 nm nu reprezintă doar tehnologia NAND la scara cea mai mică existentă, ci şi tehnologia de semiconductori la cea mai mică scară din lume – o realizare tehnologică extraordinară, care va permite stocarea mai multor fişiere cu muzică, clipuri video şi alte date de către produsele electronice de larg consum şi aplicaţiile de computing existente în prezent.
Produs de IM Flash Technologies (IMFT), acord contractual (joint venture) între Intel şi Micron, procesul pe 25nm permite obţinerea unei capacităţi de stocare de 8 GB într-un singur dispozitiv NAND, creând astfel o soluţie de stocare cu capacitate înaltă pentru gadget-urile existente în prezent, cu dimensiuni foarte mici. Are numai 167mm2 – fiind suficient de mic ca să intre prin spaţiul gol din mijlocul unui compact disc (CD) şi totuşi are o capacitate de stocare de date de 10 ori mai mare decât a unui CD (un CD standard poate conţine 700 MB de date).
Concentrându-şi eforturile şi investiţiile în domeniul cercetării şi dezvoltării NAND, Intel şi Micron au dublat densitatea NAND aproximativ o dată la fiecare 18 luni, reuşind astfel să realizeze produse mai mici, mai eficiente din punct de vedere al costurilor şi cu capacitate mai mare de stocare. Intel şi Micron au creat IMFT în 2006 primul proces tehnologic dezvoltat fiind cel de 50nm, continuând cu 34nm în 2008. Tehnologia pe 25nm lansată astăzi le permite celor două companii să îşi extindă poziţia de lider în domeniul tehnologiilor şi fabricaţiei, introducând cea mai mică litografie de semiconductor disponibilă la ora actuală în industrie.
“Poziţia de lider al întregii industrii de semiconductori, datorată celei mai avansate tehnologii, este o realizare foarte importantă pentru Intel şi Micron. Împreună vom continua să reducem dimensiunile produselor noastre,” a declarat Brian Shirley, Vice President al Micron Memory Group. “Această tehnologie de producţie le va permite clienţilor noştri să obţină avantaje semnificative, datorită soluţiilor media cu densitate mai mare.”
“Prin investiţiile noastre continue în IMFT, oferim cele mai bune tehnologii şi procese de producţie, care ne permit obţinerea celor mai fiabile şi mai eficiente sisteme de memorie NAND, din punct de vedere al costurilor,” a declarat Tom Rampone, Vice President & General Manager al Intel NAND Solutions Group. “Vom accelera astfel procesul de adoptare al solid-state drive-urilor de către echipamentele de calcul.”
Dispozitivul pe 25nm, de 8GB, este distribuit acum sub formă de mostre (sampling), estimându-se că va intra în producţia de serie în al doilea trimestru al lui 2010. Pentru producătorii de electronice de larg consum, dispozitivul oferă cea mai mare densitate într-o matriţă cu tehnologie multi-level cell (MLC) 2 bits-per-cell, care se potriveşte unui standard al industriei, o capsulă de tip TSOP (thin small-outline package). Mai multe dispozitive de 8GB pot fi utilizate împreună, într-un pachet, pentru a creşte capacitatea de stocare. Noul dispozitiv de 8 GB, pe 25nm, reduce numărul de chip-uri cu 50% faţă de generaţiile anterioare, permiţând obţinerea unor design-uri mai mici, dar cu densitate mai mare şi mai eficiente în ceea ce priveşte costurile. De exemplu, un solid-state drive (SSD) de 256GB poate fi acum dotat cu doar 32 de asemenea dispozitive (faţă de 64, câte erau necesare anterior); un smartphone de 32GB are nevoie doar de patru, iar un flash card de 16GB are nevoie doar de două.
Link-uri relevante
Pentru noutăţi despre Micron si Intel:
· Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com
· Micron Twitter: http://twitter.com/microntechnews
· Micron Pressroom: www.micron.com/media
· Intel Pressroom: www.intel.com/pressroom
· Intel Blog: www.blogs.intel.com
· Intel Twitter: http://twitter.com/intelnews
Despre Inte
Intel [NASDAQ: INTC], liderul mondial în inovaţia privind siliciul, dezvoltă tehnologii, produse şi iniţiative menite să îmbunătăţească încontinuu munca şi viaţa oamenilor. Pentru informaţii suplimentare cu privire la Intel accesaţi http://www.intel.com/pressroom şi http://blogs.intel.com.
Despre Micron
Micron Technology, Inc., este unul dintre cei mai mari furnizori mondiali de soluţii performante din domeniul semiconductorilor. Prin operaţiunile sale la nivel mondial, Micron produce şi lansează pe piaţă DRAM-uri, memorii flash NAND şi alte componente pentru semiconductori şi module de memorie care sunt utilizate în produse performante de computing, reţele, produse mobile şi de larg consum. Acţiunile Micron sunt tranzacţionate pe NASDAQ sub simbolul MU. Pentru a afla mai multe despre Micron Technology, Inc., accesaţi www.micron.com.
Intel şi logo-ul Intel sunt mărci comerciale ale Intel Corporation în Statele Unite şi în alte ţări.
* Alte nume şi brand-uri pot fi reclamate ca fiind proprietatea unor terţe părţi.
Acest comunicat de presă conţine declaraţii anticipative referitoare la procesul de producţie pe 25nm al echipamentelor NAND de 8GB. Evenimentele actuale sau rezultatele pot să difere semnificativ faţă de cele cuprinse în această declaraţie. Vă rugăm să consultaţi informaţiile publicate periodic de Micron în concordanţă cu regulile Securities and Exchange Commission, în special formularele Form 10-k şi Form 10-Q. Documentele conţin şi identifică factori importanţi care pot cauza modificari majore faţă de cele relatate în acest comunicat de presă (vezi Certain Factors). Cu toate că noi credem că aceste declaraţii anticipative sunt rezonabile, nu putem garanta rezultate viitoare, niveluri de activitate, performanţe şi realizări.